Der Basiswiederstand ist mit 4,7 K schon relativ hoch, aber 100 Ohm sind wiederrum zu niedrig. Das macht der Transistor und auf Dauer auch der µC nicht mit. Richitg wäre da ein Widerstand von etwa 470 Ohm bis 1 K.

Der 100 Ohm Widerstand am Gate des N-MOSFETs könnte noch etwas kleiner werden (z.B. 22 Ohm ... 47 Ohm). Hier fleißt der Strom wirklich nur ganz kurzzeitig, und der höhere Strom stört nicht.
Viel bringt das aber auch nicht - das man macht den vielleichht den Unterschied zwischen 2 µs und 3 µs aus.

Welcher der MOSFETs schaltet denn so langsam. 4 ms kann ich mit nicht so recht vorstellen, außer das sind versehentlich 680 K statt 680 Ohm am P MOSFET.