Die höhere Sättigungsspannung würde ich mit der größeren Chipfläche in Verbindung bringen. Du musst ja 2A dauerhaft treiben. Da muss der Siliziumchip etwas größer dimensioniert werden als bei so einem einfachen Transistör mit 100mA.
Die höhere Sättigungsspannung würde ich mit der größeren Chipfläche in Verbindung bringen. Du musst ja 2A dauerhaft treiben. Da muss der Siliziumchip etwas größer dimensioniert werden als bei so einem einfachen Transistör mit 100mA.
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