Dem Datenblatt entnehme ich:
U_CE(SAT) <= 2.8V bei I_C = 2 und I_B = 40 mA
Für einen geringeren Strom I_C = 400mA sind es immerhin noch U_CE(SAT) = 800mV
Für einen geringeren Spannungsabfall bleibt wahrscheinlich nur der Umstieg auf einen Feldeffekttransistor, der bei der gegebenen Spannung U_GS hinreichend niederohmig wird.