Hallo,

ich war fleißig und habe eine neue Schaltung entworfen:

Bild hier  

Wenn die folgende Rechnung richtig ist, dann müsste die Schaltung für meine Ansprüche genügen. Eine Offset Einstellung fehlt noch. Das könnte man doch durch eine variable Spannung statt der Masse beim Spannungsteiler des Verstärkers machen, oder?

So nun meine Rechnung:

4,211 mV/V bei 22241,112N ergibt (bei einer Brückenspannung von 5V) 9,467mV für 10kN. Messbereich soll +-10V für +-10kN sein. D.h ich brauche eine Gesamtverstärkung von ca. 1056. Die erste Verstärkung wird gleich im IA erledigt mit v=207. Der angesprochene Drift sollte egal sein mit 0,3µV/°C, da über einen geschätzten Temperaturunterschied von 10°C max 3µV entstehen. Diese verstärkt ergeben max. 3mV. Jedoch hab ich für den Bereich +-10V nur 12Bit zur Verfügung. Sprich ich sollte das gar nicht so arg mitbekommen.

Hab ich richtig überlegt?

Wenn ich eine Auflösung von 5N (5mV) hinbekomme, bin ich zufrieden.


Ist noch größeres Verbesserungspotential in der Schaltung?