Hallo!

@ YaNnIk

O.K. Ich werde es so wie immer machen. Zuerst schaue ich ins DB des BC639 bei http://www.datasheetcatalog.com/ , z.B. von SIEMENS.

Aus den Tabellen habe ich dann folgendes:

Ic = 1 A, also für 400 mA ausreichend
Ib = 100 mA für Endprüfung
DC Current gain für Ic = 500 mA min 25 also ßmin = 25 ohne Sättigung

Aus den nachfolgenden Kennlinien kann man folgendes entnehmen:

Ptot = f (TA; TC) für Umgebungs = Gehäusetemperatur 25 °C (ohne Kühlkörper) -> Ptot = 800 mW
Ic = f (VBE) für Ic = 400 mA -> VBE = ca. 0,83 V
VCEsat = f (Ic) für Ic = 400 mA -> VCEsat = ca. 0,16 V

Zuerst rechne ich Ptot = Ic * VCEsat = 64 mW, also deutlich unter der Grenze von 800 mW

Der Basisstrom bei ßmin = 25 ist Ib = Ic / ßmin = 0,4 A / 25 = 16 mA. Das ist fur den µC sicher noch zulässig.

Angenommen eine Versorgungsspannung VCC = 5V ist der Ausgangspannung gleich, kann man den Basiswiderstand als Rb = (VCC - VBE) / Ib berechnen, was Rb = 259,375 Ohm ergibt. Damit der Transistor sicher durchschaltet, nimmt man nächsten kleineren Wert aus der Reihe, also 240 Ohm.

Am Ende wird der tatsächlicher Strom vom µC bei dem Rb überprüft: I = (VCC - VBE) / Rb = 17,375 mA

Zur Sicherheit könnte man noch die Ic und VCEsat nachmessen und den Ptot ausrechnen oder mit einem Finger überprüfen, ob der Transistor nicht warm wird.

MfG