Hi!
Also bei 30V am Gate ist der FET hinüber. Die max. Werte für Vgs liegen bei ca. 20V (ist aber FET abhängig).

Ansonsten ist der FET komplett falsch dimensioniert. Der IRF650 ist ein 200V MOS-FET und für 10V Vgs ausgelegt.
Allerdings ist der Rdson bei 5V Vgs mit ca. 0,1 Ohm schon recht gering (Diagramm im Datenblatt).

Ich denke es ist eher ein Schaltungs- oder Ansteuerungsproblem. Vielleicht hat sich auch irgendwo im Aufbau ein Fehler versteckt.

Poste doch einfach mal die Oszi-Bilder und einen Schaltplan.

Gruß
Basti