Ich nehme an, dass der "-" Pol das 0 V (GND) potenzial ist. Der untere N-MOSFET wird vom µC mit 0 V gesperrt (hochohmig) und mit +5V durchgeschaltet (niederohmig). Dagegen der obere wird immer gesperrt, weil um ihn zum Leiten zu bringen ist höhere Ug (Gatespannung) als vom Akku 1 nötig (UAkku1+Ug), wobei Ug = ca. 5 V.

Wenn man als obere MOSFETs P-Typen nimmt und sie in Gegenphase zum unteren N-MOSFETs steuert, sollte die Schaltung, so wie gewünscht, funktionieren.

Übrigens, ich sehe kein Sinn, wegen innen vorhandenen Dioden, zwei MOSFETs in Serie zu Schalten.

NfG