Hi.

Beim High-Side-FET, also dem an V+, muss die Gate-Spannung mind. ca. 5 V über der Source liegen. Wenn du diesen FET durchschaltest, dann sind Source und drain annähernd auf gleichem potential, also V+. Damit der Fet durchgeschaltet bleibt muss die Spannung am FET V+ + 5 V betragen.
wenn bei dir V+ z.B. 12 V ist, dann muss deine SChaltung also irgendwo noch 17 V bereitstellen, damit du diesen FET schalten kannst. Und das ist halt meistens nicht gegeben.
Manchmal lohnt sich dieser Mehraufwand aber, wenn man durch die Verwendung von N-Channel FETs statt P-Channel Fets mehr sparen kann.

Außerdem solltest du beim BUZ11 eher 10 V Gate-Spannung verwenden, damit der auch vollständig durchschaltet.

James