Normalerweise wird der TK direkt am Bauteil gemessen. Also nur die Spannung an der Diode, und nicht erst am Ausgang des Verstärkers. das kann natürlich einiges erklären. Die Ge diode ist dann aber komisch.

Die 600 mV waren für die normale Flußspannung gedacht. Bei Si Dioden folgt die Tempearturabhängigkeit der Flußspannung ziehmlich typen-unabhängig einem einfachen Muster. Als Funktion der Temperatur gibt sich eine Gerade die zu 0 K extra poliert bei ziehmlich genau 1,25 V (den Genauen Wert weiss ich gerade nicht) ergibt. Bei einer Typischen Flußspannung von 650 mV kriegt man so gerade die Typischen -2 mV/K. Bei weniger Strom und damit weniger Spannung einen etwas höheren TK.