Das sind schon Argumente um den FET am Eingang zu benutzen, vor allem bei CMOS Schaltungen. Dann muss man halt einen 5:1 Spannungsteiler am Eingang haben und das Eingangssignal danach 5-fach verstärken, was kein Problem seien sollte.

So wie ich das sehe, die Eingangstufe mit zwei FETs hat fast keine Abschwächung des Eingangssignals, kann aber den linearen Bereich des EingangsFETs nicht erweitern. Ich bleibe also bei einem FET und grösserer Verstärkung in Folgestufen.

Dann bleibt mir nur eine neue nichtinvertierende Ausgangstufe mit 5 V Hub (von -2,5 V bis +2,5 V) neu zu bauen und die schon geprüfte Eingangstufe zu verwenden. Um den max. Ausgangstrom auf 100 mA zu erhöhen werde ich wahrscheinlich zwei paralell geschaltete BFR91A mit Ausgleichswiderständen in Emittern anwenden müssen, da die Versorgungsspannungen +/-5 V betragen werden.

MfG