Hallo Besserwessi,

man könnte die Diode D1 an C4,C5 anschliessen, wo normal die Spannung um +1,1 V betragen sollte. Damit werden die Dioden in Sperrichtung mit ca. -0,5 V ond ca. +1 V polarisiesiert. Das sollte im jeden Fall ausreichen. Ich werde persönlich keinen Schutz am Eingang wegen Eingangskapazitäten verwenden, da ich höchstens mit Versorgungsspannungen bis 15 V arbeite.

Zuerst möchte ich keinen zweiten FET nehmen. Die Abschwächung des Eingangssignals am Eingang durch den FET habe ich irgendwie vergessen. Im schlimmsten Fall um die Schaltung nicht zu komplizieren könnte man sie durch Entfernung des Eingangsteilers (vergrößerung des R2) bzw. Verdoppelung der Verstärkung von T2 und T3 erreichen. Ich werde die Schaltung sowieso stufenweise vom Ausgang aufbauen und jede Stufe gleich prüfen.

Dabei möchte ich den vorhandenen Hochspannungstastkopf 100:1 als Referenz benutzen und werde mit der Schaltung schon zufrieden, sogar wenn ich nur 10- fach größeres Ausgangssignal mit vergleichbarer Eingangskapazität hätte, die für mich bei HF am wichtigsten ist. Um die Spannungsquelle beim Vergleich mit der Eingangskapazität und niedriger Eingangsimpedanz nicht zu belasten, muss ich mir zuerst doch die Eingangsstufe getrennt aufbauen, die ich zukunftig sicher brauchen kann. Möglicherweise bleibe ich nur beim einsteckbarem Impedanz/Kapazität Wandler für 10:1 Tastkopf, was sich aber sicher wegen bloß 5 Bautelen nicht besonders lohnt. Mein Ziel ist ganz klar und die Realisierung egal.

Ich habe ein bischen mit dem Simulator gespielt, aber bisher die Messergäbnisse nicht verstehe. Warum bekomme ich bei einem Emittervolger ein Ergäbniss um -20 dB wenn er praktisch um ca. -0,5 dB seien sollte? Ausserdem wegen sehr begrenzter Auswahl von Transistoren finde ich das Programm für HF praktisch unbrauchbar. Wahrscheinlich bei HF Schaltungen komme ich in der Praxis ohne mehrmaligem Aufbau der Schaltung leider nicht weiter.

MfG