Die Dioden sind richtig polarisiert und das Gate vom T1 sollte um -0,5V gegen S haben, weil auf dem S sollte eine Spannung ca. +0,5 V sein. Die Diode D2 muß also nicht zwischen G und GND, sondern zwischen G und S geschaltet werden. Ich habe es bemerkt, dass das Eingangsignal, zu mindest bei mir, mit einem Kondensator C von der DC Spannung die einige V betragen kann, entkoppelt seien muss. Das alles habe ich schon in der letzten Skizze geändert um sie nicht ganz wieder posten zu müssen. Die Spannung -0,5 V ist optimal für den FET, um max. linearen Bereich +/ 0,5 V der Einganngsspannungen auszunutzen.

Eine niedrigere Eingangsimpedanz ist wegen Rauschen, vor allem bei HF, immer günstiger. Ich werde für mich sogar 10k akzeptieren. Dann ist die Frage, ob man den FET überhaupt braucht. Wenn du mir noch die Eingangsimpedanz und Versorgungspannung sagst, kann ich das fertig dimmensionieren, aufbauen und testen.

MfG