Die Schaltzeit hängt von den Widerstandswerten, und dem FET ab. Bei sagen wir mal 1 K Ohm und 1 nF Gatekapaziät (ca. 5 A Fet) sollte man auf etwa 1 µs Schaltzeit kommen. Durch die Gate-Drain Kopplung eventuell auch ein bischen mehr. Wenn es wesentlich schneller gehen soll, müßte man noch extra Emitterfolger vors Gate schalten. Wenn die 1 µs ausreicht, dann sollte man es so lassen. Höchstens zur Sicherheit noch eine Zenerdiode parallel zum Gate.

Den ersten Transistor kann man sich sparen, wenn man die Signalinvertierung nicht braucht.