@avion: ich hab's befürchtet. Die MOSFETs müssen hier im LINEAREN Bereich arbeiten, Deine Appnote bezieht sich natürlich auf den SCHALTbetrieb! Sogar die Streuinduktivitäten wollen die dort optimieren, damit die MOSFETs im dynamischen Bereich während des Schaltens so gleich wie nur irgend möglich laufen. Aber in diesem Bereich sind sie nun mal starken Streuungen unterworfen, nur im Sättigungsbereich sieht die Welt wieder besser aus.
Es fängt ja schon mit der Ugs_th an, bei einem MOSFET ist von Leiten bei einer bestimmten Ugs nicht zu sprechen, ein anderer ist schon fast voll auf.

@felix: die Regelkreise werden vermutlich schwingen, vielleicht auch nicht (weil die Gatekapazität mit dem Gatewiderstand zufällig einen Pol an der richtigen Stelle bewirkt). Die Funktionsweise dieser Lastaufteilung ist eigentlich ja einleuchtend: würdest Du für eine angenommene Steilheit des Stellgliedes von 1A/V einen MOSFET benötigen, baust Du halt zB 5 Regler auf, wovon jeder einzelne 0,2A/V "liefert", schaltest diese parallel und führst den mittleren Strom über Widerstände (R zB 100xRshunt) auf einer Sammelschiene zusammen. So hast Du die Restunsymmetrie ausgemerzt und musst nur noch bedenken, dass die Slope an dieser Stelle natürlich auch nur 0,2V/A ist (keine weiteren Spannungsteiler im Regelkreis der MOSFETs vorausgesetzt, bei Dir habe ich da Potis gesehen - wozu?)
Denk aber dran, dass die Drahtwiderstände einen grottigen Tk haben und dass das Verhalten der Regler ohne eine ordentliche Stabilitätsbetrachtung völlig unvorhersehbar ist.