Die Dioden im Glasgehäuse müssen schon einiges aushalten. Das Glas fürs Gehäuse schmiltzt ja auch nicht bei 200 C.

Die Begrenzung auf 200 C kommt vor allem davon, dass die Diode dann nicht mehr richtig sperrt, weil der Sperrstrom als funktiond er Temperatur zu hoch wird. Für die Anwendung als Sensor ist das aber nebensächlich.

Bei Siliziumdioden ist die Diffusion auch nicht so schnell wie bei Germaniumdioden. Man muß aber schon mit etwas mehr Alterung rechnen. Bei Dioden (besonders bei eher langsamen typen) ist das Dotierungsprofil auch bei weitem nicht so kritisch wie bei Transistoren. Da muß sich schon realtiv viel ändern bis man es merkt.

Der Knick in der Kurve oben ist ziehmlich sicher ein Fehler in der Temperaturmessung über den Lötkolben. Ein Großteil der Abweichungen vermutlich auch.