Die oberen FETs sind die eigentlichen SteuerFETs. Sie werden die ganze Zeit mit hilfe der PWM Ein- und Ausgeschaltet. Damit bei dem Übergang nichtleitend / leitend und umgekehrt nicht zu große Energiemengen an den Sperrschichten in Wärme umgesetzt werden und der Transistor den Hizetod stirbt, muss er diesen Übergang sehr schnell durchführen. Dies kann er nur, wenn er sehr Niederohmig angesteuert wird, so dass sich die GS-Kapazität sehr schnell auflädt. Die Transistoren T2 und T4 werden nur einmal durchgeschaltet und bleiben es dann bis zu einem Richtungswechsel oder definiertem Bremszyklus auch. Die Kondensatoren C10 und C11 unterstützen diesen Vorgang noch etwas.

Die Dioden D3, 8, 9 und D10 sind sehr schnelle Schottky-Dioden, die auch kurzfristig sehr große Ströme vertragen. Die "eingebauten" Dioden sind ein Nebeneffekt des Aufbaus eines FETs. Bei Anschluss von großen Induktiven Lasten werden diese meist, durch die hohen frei werdenden Energien beim Abschalten, zerstört. Daher werden Parallel zu der "eingebauten" Diode noch jeweils eine Schottky-Diode eingebaut die für diese Aufgabe geeignet ist.