Deine Verwendung für den FET ist die denkbar einfachste: als Schalter. Entscheidend ist die Spannung, die zwischen Gate und Source anliegt --> Vgs! Diese entscheidet über den Widerstand der Drain-Source-Strecke. In welchem Maße sie das tut, ist im Datenblatt meist als schönes Diagramm dargestellt.
LogicLevelFETs zeichnen sich dadurch aus, dass sie bereits bei 5 V einen niedrigen bis sehr niedrigen DS-Widerstand besitzen. Da Dein Source auf Masse liegt, musst Du nur die Gatespannung berücksichtigen und die kommt aus Deinem µC.
ZB der IRL2203N hat bei Vgs=4,5V einen RDS=0,01Ohm.
Schließe einfach das Gate eines solchen FETs an den IO-Pin und einen Widerstand zur Sicherheit von Gate nach Source, zb 100k. Das sollte funktionieren. Im Falle einer Induktivität als Verbraucher noch eine Diode in Sperrrichtung von Souce nach Drain. Sorry, kann jetzt leider nicht zeichnen.
Gruß