Hi!
An einem "normalen" Transistor (also ein Bipolarer) bleiben wie bei einer Diode wegen des P-N Übergangs ca. 0,7V hängen.
Ein FET (Feldeffekt Transistor) steuert den Strom nicht durch einen P-N Übergang sondern einen N- oder P-Kanal. Je nach Ansteuerung des Gates, wird der Widerstand dieses Kanals größer oder kleiner.
Damit ist dann auch die Größe "Rds_on" klar. Diese Größe beschreibt den Widerstand zwischen Drain und Source im Durchgesteuerten ("on") Zustand (angegeben in Ohm oder Miliohm).
Generell kann man sagen, dass ein FET bei einer Gate-Spannung von 10V komplett durchgesteuert ist und den kleinsten DS-Widerstand hat. Ein Gate hält meistens nicht mehr als 20V (zwischen Gate und Source gemessen) aus.
Spezielle "Logik-Level" FET's schalten schon bei 5V und weniger sicher durch und haben einen geringen Widerstand.

Rechnen wir mal deinen Fall mit zwei (N) FET's durch:

BS170 Kleinsignal FET, ca. 2 Ohm Rds_on, bei 7V Vgs max. 1,6A
Spannungsverlust am FET:
U = R * I = 2 * 0,05A = 0,1V Spannungsverlust durch den FET
Verlustleistung:
P = U * I = 0,1V * 0,05A = 5mW Verlustleistung (also fast nichts)

IRF1404 Hochleistungs Power-FET, ca. 0,006 Ohm Rds_on, bei 7V Vgs max. 350A
Spannungsverlust am FET:
U = R * I = 0,006 * 0,05A = 0,0003V (300µV)
Verlustleistung:
P = U * I = 0,0003V * 0,05A = 15µW

Es gibt hunderte Verschiedene N- und P-Kanal FETs mit Verschiedensten Parametern. Schau dir am besten mal ein paar Datenblätter von FET's an.

Zu der Sache mit der FET-Ansteuerung mit einem Transistor wie von focobot beschrieben: Das Gate hat leider eine gewisse, kleine Kapazität im unteren nF bereich. Wenn du jetzt also im kHz Bereich schalten willst, brauchst du einen Transistor um das Gate schnell zu laden oder zu entladen.
Wenn du jedoch nur ab und zu an und aus schalten willst, kannst du das Gate auch über einen Widerstand (etwa 270-470 Ohm) an deinen µC anschließen.

MfG
Basti