Hi shaun !

Danke für die Antwort ...

Ok ... Das hab ich schon mal überlegt - bzw. wo gesehen das sie die unteren beiden MOSFETs durchschalten und dann praktisch den Strom einfach über diese beiden low-side FETs "totlaufen" lassen ...

Ich denke leistungsmässig am günstigsten wäre eben diese Variante - bei der Variante mit den Freilauf Dioden bei denen die induzierte Spannung an die Versorgung abgegeben wird wird ja praktisch die Versorgung belastet - also mehr Leistung verbraten.

Das einzige Problem das ich noch sehe ist folgendes ... nimm mal eine H-Brücke an so wie man sie normal zeichnet (meine ist aus platzgründen übereinander angeordnet) wenn z.B. gerade links die high-side durchgeschalten ist - und rechts die low-side also der Strom nach rechts durch die Spule fliesst .... dann kann ich ja nicht den linken low-side treiber einschalten während die linke high-side noch on ist ... sonst hab ich links nen shoot-through.

Ich muss also zumindest ein paar ns dead-time einbauen (bei treiber ics mit shoot-through protection beträgt der meistens so 100-400ns).

Aber während dieser Zeit treten ja auf jeden Fall schon Induktionsspannungen auf - d.h. an den Freilaufdioden komme ich ja wohl gar nicht vorbei ? oder ?

Und was mich noch ein bisschen irritiert ist das in dem beschrieben beispiel (also wenn ich den strom über die untern FETs fliessen lasse) der strom ja durch einen der beiden unteren MOSFETs in die verkehrte richtung fliesst ... ist das nicht problematisch ? Bei einem bipolaren Transistor würde das nicht gehen - kommen MOSFETs damit zurecht ?


grüsse,
Bernhard