Freunde Dich erstmal mit dem Gedanken an, dass Du für Deine Anwendung den MOSFET "falsch herum" benutzen musst. Du nutzt immer die Diodenstrecke von S nach D wie eine normale Diode, steuerst das Gate aber noch zusätzlich positiv gegenüber S, sobald die Spannung an S größer der an D ist. So brückst Du die parasitäre Diode, die für sich genommen nur eine teure Si-Diode wäre, mit dem Kanal des MOSFET und nutzt den niedrigen Rds(on). Allerdings musst Du sobald der nun niedrigstohmige Kanal ein Spannungsnull sieht SOFORT wieder umschalten, sonst gibt's nen Kurzen. Nicht wirklich trivial!