Dann vergiss die Schaltung von ThSteier ganz schnell, denn sie funktioniert so nicht!!!
Der N-Kanal-MOSFET ist hier als Sourcefolger geschaltet, d.h. selbst bei vollen 12V am Gate hast Du am Ausgang nur so 8-10V (12V abzüglich Schwellenspanung), der Rest wird verheizt, d.h. der MOSFET brennt Dir ab!

Daher erste Frage: musst Du die +12V geschaltet haben, oder darf die Last auch dauerhaft an +12V hängen und dementsprechend die Masse geschaltet werden?
Bei Fahrzeugen, wo die Struktur als Masse benutzt wird, ist die Frage natürlich hinfällig, da musst Du dann wirklich die +12V schalten.
Dazu gibt es zwei Wege:

1. Du nimmst einen P-Kanal-MOSFET. Die bekommt man heute schon mit Einschaltwiderständen von 10mOhm, heisst: bei 25A gehen Dir 0,25V flöten, was immerhin 6,25W Verlustleistung macht - Kühlkörper muss also schon mal sein. Die Ansteuerung wäre dann sehr einfach, bei Bedarf zeichne+berechne ich (oder jemand anders hier) Dir das mal auf.

2. N-Kanal-MOSFETs wie oben gezeichnet können durchaus als "Highside"-Switch, d.h. in der positiven Versorgungsleitung, eingesetzt werden, aber Du musst eine entsprechend höhere Gate-Speisung bereitstellen. Da hier fast kein Strom verlangt ist, solange nicht schnell geschaltet werden muss, reicht eine einfache Ladungspumpenschaltung, bei örtlich konzentrierter Anordnung der 6 Kanäle oder was das war auch eine für alle Kanäle zusammen. N-Kanal-Typen gibt es realistisch mit 5mOhm Einschaltwiderstand, ergo 0,125V bei 25A und damit die halbe Verlustleistung. Der Kühlaufwand verringert sich.

Durch Parallelschaltung mehrere MOSFETs kann bei beiden Varianten der Kühlaufwand verringert werden, wobei jeder einzelne aber die 25A locker schaffen sollte, da bei dieser einfachen (langsamen) Ansteuerung der Strom während des Schaltens nicht zwingend gleichmäßig verteilt ist.

Du musst noch mal ein paar Details preisgeben, u.a. womit gesteuert werden soll, ob Masseschalten erlaubt ist oder Du die +12 geschaltet brauchst usw.