Hi shaun,

nein, die Kurzschluss-Brücke habe ich bewusst nicht verwendet. Bei mir haben die P-FET-Gates einen 1K Pullup auf +12V (<- Betriebsspannung) und die N-FET-Gates einen 1K Pulldown auf GND. Beim Einschaltvorgang wird immer ein Optokopplerpaar gleichzeitig durchgeschaltet, welches den zugehörigen N-FET auf High und den P-FET auf Low zieht.

Ok, die Vermutung mit der zu langsamen Gate-Umladung hat sich also nicht bestätigt. Vielmehr habe ich soeben festgestellt dass die Gate-Spannung zu niedrig war: Der Optokoppler-Ausgang hat zusammen mit dem 1K Pullup bzw. Pulldown einen nicht zu vernachlässigenden Spannungsteiler erzeugt, wonach am Gate etwa 4V zur Betriebsspannung gefehlt haben. Ein kleinerer Emittervorwiderstand am OK-Eingang konnte abhelfen.

Was mir jetzt immer noch fehlt ist die Berechnungsgrundlage für die maximal zulässige Verlustleistung (-> erwärmung auf X °C) an einem Mosfet. Wie kann man sowas errechnen?