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So grundfalsch ist dieser Spannungsverdoppler sicher nicht, auch wenn er sich nur schlecht regeln lässt. Aber wenn man das nicht will, ist das ja egal.
Es gab/gibt schon länger Bausätze, bei denen ein TDA2003 oder sowas als Rechteckgenerator geschaltet ist und den Verdoppler füttert, damit lässt sich durchaus strommäßig was machen, daher sollte Deine MOSFET-Schaltung auch und sogar besser (weil weniger Verluste) funktionieren. Achte nur darauf, dass die MOSFETs während des Umschaltens querleiten, wenn die Versorgungsspannung die Summe der Threshold-Spannungen überschreitet!
PS. es gibt den Verdoppler noch, Conrad 191060. 5kHz, 1000u-Elkos und Schottky-Dioden.
So hab ich es auch geschaltet, nur wusste ich bei der Zeichnung nicht genau, was Source und Drain sein sollen. Dachte, dass Pfeil nach +5V immer gut ist...Bei einem N - Kanal FET, als low side switch, sollte Source und Bulk schon auf Masse liegen.
Eben dieser Conrad-TDA'03-Verstärker hat mir bislang meine Motivation gegeben selbst einen Spannungsverdoppler zu bauen. Im Prinzip macht der TDA doch nichts anderes als zu schwingen und immer hin und her zu schalten. Eben das, was meine Mosfets + NE555 machen (sollen). Und dieser Conradverstärker kann mit Kühlkörper 2A liefern. Also müsste das meine Schaltung auch schaffen.Es gab/gibt schon länger Bausätze, bei denen ein TDA2003 oder sowas als Rechteckgenerator geschaltet ist und den Verdoppler füttert
Meinst du nicht eher, dass sie NICHT querleiten sollen?Achte nur darauf, dass die MOSFETs während des Umschaltens querleiten, wenn die Versorgungsspannung die Summe der Threshold-Spannungen überschreitet!
Ansonsten erklär mir das mit dem querleiten nochmal![]()
Hallo,
der Elko C1 wird quasi die hälfte der Zeit nur über die Substratdiode aufgeladen, bis sich eine positive Ugs Spannung aufbaut (Am Anfang nicht möglich, da Source quasi auf 5V über den leeren Kondensator C1 liegt). Bei anschließenden Seriellen entladen des Elkos, fließt ein Kurzschlussstrom vom Durchgeschalteten MOSFET Q2 über die Substratdiode von Q1.
Ich würde einmal versuchen, Source von Q1 auf Masse zu legen, und Drain mit dem Kondensator zu verbinden. Dadurch kann Q1 ordnungsgemäß durchschalten, und die Substratdiode verursacht keinen Kurzschluss mehr.
Mfg
The future is closer then you think!
Hier nochmal ein korrigierter Schaltplan, habe einiges falsch eingezeichnet. So müsste es momentan bei mir aussehen. Q1 und Q2 schalten so ideal durch, zumindest wenn ich die Gates zufuß hin und herschalte.
@locked: das mit dem falschrummen MOSFET war doch schon geklärt.
@zara: Du hast das Querleiten schon richtig verstanden denke ich, ich habe es nur genau so geschrieben, weil Du darauf achten sollst, DASS es passiert, wenn die Ub grössergleich der Summe der Ugs_th ist. Das ist ein Fakt, daran kannst Du nichts ändern, egal wie sehr Du drauf achtest. Daher sollst Du dies bedenken.
Hast Du mal irgendwann ein Oszillogramm der Spannung am Zusammenschluss der beiden Drains gemacht? Ich schätze mal, unter Last liegt da alles andere als das erwartete 5Vss-Rechteck an.
shaun,
jetzt verstehe ich, was du meinst. Allerdings ließe sich selbst das mit (komplizierten) Verzögerungen der Schaltspannungen umgehen, allerdings wäre der Aufwand viel zu hoch.
Als "Osziloskop" hab ich nur einen kleinen Piezzoschallwandler und der Brummt immernoch wenn ich die Schaltung belaste, allerdings hört es auf die Drains zu schalten wenn ich den anschließe, nicht die beste Lösung also.
Du meinst, das Signal ist zu verzerrt/verschoben unter Belastung? Könnte man das vielleicht mit einem MOSFET Treiber umgehen?
Gruß,
Markus
Wenn man den Faktor Zeit in deine Überlegung mit einbezieht, wird man feststellen, dass die beiden Artikel (fast)zeitgleich erstellt wurden. Ergo wusste ich während des verfassen nichts von der Existenz der zwischenzeitlich erstellten Antwort. Dieses Forumphänomen sollte aber bekannt sein...Zitat von shaun
Ich möchte deutlich darauf hinweisen, dass dies keineswegs als beleidigende Antwort zu werten ist, sondern lediglich der Richtigstellung deiner Feststellung dient.![]()
Mfg
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