Stimmt nicht so ganz, wenn Du bei einem NPN-Transistor die Last zwischen Ub und Kollektor schaltest, Emitter an Masse, d.h. in Emitterschaltung, fällt nur die Sättigungsspannung an C-E ab, wenn Du ihn als Emitterfolger schaltest, also C an Ub, Last zwischen Emitter und Masse, sieht Deine Last auch nur die Basisspannung minus der B-E-Schwellspannung. Beim MOSFET fällt's nur mehr auf, weil die Ugs_th größer ist als die Ube beim biploaren Transi, ausserdem stark unterschiedlich nach Typ, Exemplar usw., beim Bipolartypen sind's immer so zwischen 0,6 und 0,7V.