Beim MOSFET schlägt bei überhöhter G-S-Spannung das Gate-Oxid durch, die D-G-Spannung ist dabei relativ egal, solange gewährleistet ist, dass G-S im erlaubten Bereich liegt. Zu hohe Spannung zwischen D und S führt irgendwann zu Stromfluss auch im nicht angesteuerten Zustand, wenn dann noch Strom fliessen kann, geschieht Zerstörung durch Überhitzung, wie bei einer Diode, deren Sperrspannung überschritten wird.

Beim Transistor hast Du natürlich keine Isolierschicht, ansonsten gilt dasselbe: Diodenstrecken werden bei Überschreiten der Sperrspannung leitend, Stromfluss vorausgesetzt führt das zu thermischer Zerstörung