Servus,

ich versuche gerade die Gründe der Erwärmung eines FETs in einer meiner Schaltungen zu klären.

Wenn ich euch kurz meine Daten mal nennen darf:
U=15V
I=2,5A (Nennstrom)
f=32khz
Rdson=0,0075Ohm (max. laut Datenblatt)

t(rise)~100ns (gemessen)
t(fall)~200ns (gemessen)

Gefunden habe ich folgende Formel:
P = P(ein)+f(E(ein)+E(aus))
mit
P(ein)=Rdson*I²
E(ein)=0,5*(I*U*t(rise))
E(aus)=0,5*(I*U*t(fall))

P(ein)=47mW
E(ein)=1,9µWs
E(aus)=3,8µWs
=>
P=227mW

Der FET ist ein IRF7456 HexFet in SO-8 Gehäuse.

Es befindet sich kein Kühlkörper. Und es ist auf der Leiterbahn kein Platz für Kühlflächen

Die Oberflächentemperatur liegt bei geschätzten 40°C bei 23°C Umgebungstemp.

Stimmt meine obige Rechnung?
Welche Verlustleistung wäre eurer Meinung nach noch ohne Kühöung vertretbar?

Gruß Tobi