Diese Diode hat anstelle eines gewöhnlichen PN-Übergangs einen Metall-Halbleiter-Übergang. Dadurch sind Schaltzeiten von weniger als 0,1 ns möglich. Somit ist sie auch für die schnelle Digitaltechnik und den Mikrowellenbereich geeignet.

Technische Daten:
Typ: BYV 26 D
I: 1 A
U: 800 V
Gehäuse: DO 35


Jetzt bin ich mit meinem latein am ende.