Nein, auch das reicht nicht. Also Brocken vorwerfen: liegt Source auf Masse und die Last zwischen +12V und Drain, oder hast Du Drain an +12V und die Last zwischen Source und Masse? Im ersten Fall (sog. Low-Side-Switch) kannst Du mit einer Spannung von >=5V gegen Masse am Gate sicher durchschalten, der PNP kommt dann mit dem Emitter an die Logik-Versorgung (zB. +5V), der Kollektor an das Gate und die Basis über einen Widerstand an den Logik-Ausgang, ich vermute mal, ein Controller, richtig?
Nun haben wir noch das Problem, dass das Gate sich beim Abschalten nur ganz langsam über Leckströme entlädt, evtl. schaltet Dein MOSFET gar nicht mehr ab, wenn doch, dann so langsam, dass er gute Chancen hat, kaputt zu gehen - je nachdem, was für eine Last dranhängt.
Entweder setzt Du wie es sich gehört (insbesondere wenn schnell geschaltet werden muss) einen Treiber ein, der wie schon weiter oben gesagt wurde das Auf- und Entladen der Gate-Kapazität aktiv besorgt, oder Du schaltest einen Widerstand zwischen Gate und Source. Wenn Du dort zB 1k nimmst, fliesst ein Strom durch diesen Widerstand - ob das zulässig ist, musst Du selbst entscheiden. Das Abschalten dauert durch den Widerstand auch eine Weile.
Diese Weile bewegt sich zwar im us-Bereich, aber wenn Du zB eine PWM mit einigen zig kHz realisieren willst und dabei noch ein ordentlicher Strom fliesst, verglüht Dir der MOSFET trotzdem. Daher wäre es wichtig gewesen, dass Du dann doch mal preisgibst, was Du wie schalten willst.

Der zweite Fall - Last zwischen Source und Masse - nennt sich High-Side-Switch und ist deutlich komplizierter zu handeln, da Du irgendwo eine Spannung herbekommen musst, die um 5-10V über der zu Schaltenden liegt. Auch dafür gibt es Treiber, die dies über eingebaute Ladungspumpen erledigen.