Zitat Zitat von shaun
Wo wird behauptet, dass man MOSFETs mit geringem RDSon (wie Du sie vorschlägst - solche, die für Schaltaufgaben optimiert sind) in linearen Anwendungen parallel schalten kann? Da hätte ich gerne mal ein paar Links.
"Diese 10 P-Kanal-MOSFETs vom Typ IRF9530 können problemlos parallelgeschaltet werden."
http://www.trifolium.de/netzteil/kap3_2_7.html

"Auf Grund des positiven Temperaturkoeffizienten, lassen sich MOSFETs parallel schalten."
http://linux.bigga.de/files/studium/...rbeit_main.pdf

Ich nehme an NG und Foren zählen nicht.

"Dass die dicken IGBTs 625W aushalten müssen hat einen einfachen Grund: so ein IGBT hat in Sättigung 2-3V VCEs, wenn da 100A drüber fliessen, sind das schon mal Leitungsverluste in Höhe von 300W, dazu dann noch die Schaltverluste. Diese Dinger werden nicht für Längsregler gebaut!"

Warum soll mein IGBT 100A bei 3V aushalten aber nicht 30A 10A?
Die Erklärung bist du mir noch schuldig.
Nur aus wissenschaftlicher Neugier.

Ich werde auf jeden Fall 8 TIP 142 nehmen, halte ich auch für sinnvoll.
Ist in euerer Schaltung ja auch drin und fnktioniert super.
Auch im ELV-Netzteil ist es so.