Wo wird behauptet, dass man MOSFETs mit geringem RDSon (wie Du sie vorschlägst - solche, die für Schaltaufgaben optimiert sind) in linearen Anwendungen parallel schalten kann? Da hätte ich gerne mal ein paar Links. Dass die fetten Lasten von Agilent vor jedem einzelnen ihrer zig MOSFETs einen schnellen Regler haben, die für jeden MOSFET einzeln den Strom regeln kann doch kein Zufall sein...?!
Dass die dicken IGBTs 625W aushalten müssen hat einen einfachen Grund: so ein IGBT hat in Sättigung 2-3V VCEs, wenn da 100A drüber fliessen, sind das schon mal Leitungsverluste in Höhe von 300W, dazu dann noch die Schaltverluste. Diese Dinger werden nicht für Längsregler gebaut!
In MOSFET-Verstärkern hat man vielfach MOSFETs parallel geschaltet, aber immer unter der Voraussetzung, dass deren Kennlinien das auch zulassen. Die alten 2SK135 von Hitachi waren zB speziell für Linearanwendungen designt.
Ich bestreite nicht, dass es funktionieren kann, aber es kann auch genau so gut abbrennen, weil unter bestimmten Bedingungen ein MOSFET alleine die gesamte Last trägt. Allein die Streuung der VGSth ist dermaßen groß auch innerhalb einer Charge dass es gar nicht sein kann, dass sich der Strom ohne zusätzliche Maßnahmen vernünftig aufteilt. Ich habe mal eine halbe Stange IRFP250 vermessen, diese waren mit 1 Ohm Sourcewiderständen parallel geschaltet und es wurde der Ausgangsstrom konstant auf 5A gehalten (einfacher Regler mit OPV). Die Hälfte hat den halben Strom getragen, einer alleine die andere Hälfte des Stromes und der Rest war beinahe stromlos.