NG und Foren zählen, Du musst mir ja nichts beweisen, ich habe nur die gegenteilige Erfahrung gemacht und in professionellem Equipment gesehen, wie es vernünftig realisiert werden kann.
Was Deinen IGBT angeht: das Problem ist nicht die Frage, ob 3V bei 100A oder 30V bei 10A. Meine These beruht darauf, dass diese großen IGBTs selten aus einem Chip bestehen, sondern im Gehäuse mehrere Chips parallel geschaltet sind, änhlich wie eine diskrete Parallelschaltung aus MOSFETs.
Wenn Du diese für Schaltanwendungen konzipierten Bauelemente nun voll durchsteuerst, zB Vgs=15V, dann haben alle aus einer Charge in etwa den gleichen RDSon bzw die gleiche VCEsat, bei MOSFETs kommt hier noch dann der positive TK des RDS zum Tragen, so dass sich der Strom im Schaltbetrieb einigermaßen ausgleicht. In allen Zuständen zwischen ganz an und ganz aus, also im linearen Bereich, sind die Kennlinien der Bauelemente auch aus ein und derselben Charge so different, dass sich der Strom eben nicht mehr aufteilt. Wenn Du also mal Deine 30V, 10A als Zahlenbeispiel hernimmst: Du hast vier MOSFETs und regelst die gemeinsame Gatespannung so, dass bei 30V über den Transistoren genau 10A fliessen. Die Gatespannung sei hier bei fiktiven 3,85V. Idealerweise trägt jeder MOSFET nun 2,5A, real kann es aber durchaus so sein, dass bei einem die VGSth noch nicht mal erreicht ist, während ein anderer bereits 8A übernommen hat und die anderen sich die letzten 2A teilen.

Im ersten Deiner Beispiele bleiben die Schreiber den Beweis der Lastaufteilung anhand einer Messkurve (zB eine Normalverteilung der Ströme über Iaus und Vaus aufgetragen), das zweite bezieht sich explizit auf eine SCHALTanwendung!