hi,

wenn ich die grundfragestellung richtig interpretiere, sehe ich es genau wie schon yossarian vor mir. um für eine zeit bis maximal 40µs vcc nach gnd zu ziehen, würde ich mir relativ wenig gedanken um die kühlung des fets machen. die verlustleistung die im inneren des fets entsteht muss nämlich zunächst einmal die thermische kapazität von junction zu case überwinden.

falls der fet nicht im taktenden betrieb verwendet werden soll, davon gehe ich bei der simulation eines kurzzeitigen ausfalls der versorgungsspannung aus, dauert es also eine gewisse zeit bis die im innernen entstandene wärme nach aussen dringt.

hält man nun eine gewisse schonzeit des fets ein, kann man auf zusätzliche kühlkomponenten verzichten.

zur ansteuerung: spannungsteiler halte ich für eher ungeeignet, da man durch den vorwiderstand die ladezeit der gatekapazität verlängert.
ich würde eine entsprechend dimensionierte push-pull-stufe zur ansteuerung des fets einsetzen. jedoch sollte stets ein geeigneter pull-down-widerstand vor das gate des fet geschaltet werden.
mit integrierten mosfettreibern habe ich selbst noch keine erfahrung gemacht und kann somit leider nichts zu diesem lösungsansatz berichten.

gruß
henrik