Die Geschwindigkeit, mit der ein FET geschaltet werden kann, hängt wie gesagt davon ab, wie schnell man es schafft, sein Gate zu (ent)laden.

Will man einen FET mit einer Gate-Kapazität von 1nF in 1ns schalten, braucht man pro Volt Gatespannung 1 Ampère. Entscheidend für die Schaltgeschwindigkeit ist also C_G (total Gate Charge), die im Größenbereich von nC liegt.

Selbst wenn man es mit entsprechenden (bipolaren) Treibern schafft, den FET schnell genug zu schalten, hat man dann Verluste in der Treiberstufe.

Generell hast du folgende Unterschiede Zwischen FET und Bipolar-Transistor (BT):

BTs sind stromgesteuert über den Basisstrom, während FETs spannungsgesteuert sind durch die Gate-Source-Spannung. BTs weisen in ihren Kennlinien Bereiche auf, die sehr gut linear sind, wodurch sie sich sehr gut für (lineare) Strom- oder Spannungsverstärkung eigenen. FETs sind idR deutlich schlechter dafür geeignet. Um einen BT leitend zu halten, brauchst du eine Mindestleistung, weil sie stromgesteuert sind. Einen FET kannst du leistungsfrei leitend halten (abgesehen von minimalster Leakage).