Ich hab mal aufgezeichnet wie MosFETs in den meisten Fällen als Schalter verwendet werden. In deinem Fall wäre wahrscheinlich beides möglich, im einen Fall wird der Stromkreis aber auf der negativen Seite unterbrochen und im anderen Fall auf der positiven Seite.
Der N-Kanal MosFET (NMOS) würde bei 0V abschalten und bei 5V den Sensor einschalten. Beim P-Kanal MosFET ist es genau andersherum, 5V ausgeschaltet und 0V eingeschaltet.
N-Kanal MosFETs haben bei ansonsten gleichen Daten meist einen höheren Rds(on), das hängt mit den unterschiedlichen elektrischen Eigenschaften der unterschiedlich dotierten Materialien zusammen, deswegen würde ich einen N-Kanal nehmen.
Logic-Level MosFETs heißen z.B. IRL oder IRLZ. (Edit: Das L sollte natürlich fett sein und nicht das Z )
Ich denke, der vorgeschlagene IRLZ34N ist für den Sensor auf jeden Fall geeignet. 34 mOhm * 50 mAmpere ergäbe einen Spannungsabfall von 1,7mV. Falls du den idealen MosEFT dafür suchst, nimmst nen IRL1404. Ein Rds(on) von 0,004 Ohm ergäbe einen Spannungsabfall von 0,2mV.
Ein BC337 mit 20 mA Basisstrom ergibt in der Simulation einen Spannungsabfall von etwa 30mV, wahrscheinlich wird das in Wirklichkeit ewas mehr sein.
Für 500mA und 2 Ampere würden auch IRLZ34N reichen. Bei 2 Ampere läge der Spannungsabfall vorraussichtlich ne Ecke unter 100mV (Diagramm im Datenblatt ist da zu Ende),der Transistor würde also gerade mal leicht warm werden.
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