Vgs sind, wie die Indizes vermuten lassen, auf Source bezogen, und wie Du ja schon ganz richtig geschrieben hast, liegt beim P-Kanal Source auf Vcc in der geplanten Anwendung. Bei 1A mag ein P-Kanal die Sache noch hilfreich vereinfachen, bei ein paar Ampere würde ich nur N-Kanal-MOSFETs benutzen und der Einfachheit und Reproduzierbarkeit halber einen integrierten Treiber einsetzen. Bei 5V ist da die Auswahl aber etwas dünn, allerdings würde ich in diesem Fall um das Bootstrapping zu umgehen sowieso eine höhere Spannung für die Gatetreiber bereitstellen (12V, wenn nicht sowieso vorhanden aus einem kleinen Step-Up-Wandler)
Aber kurz nochmal an PeterPan: bei den meisten Brücken wird das ganz sicher nicht so gemacht, weil die P-Kanal-MOSFETs bei gleicher Technologie und Chipfläche einen erheblich höheren Rds_on haben als N-Kanäler (aber das brauche ich Dir denke ich gar nicht zu sagen). Sogut wie alle integrierten Brücken haben ausschliesslich N-Kanal-MOSFETs, und MOSFET-Treiber für diese Anwendung sind idR auch für die Ansteuerung eines N-Kanal-MOSFETs auf der high side ausgelegt.