@dennisstrehl WENIG STROM IN DEN GATELEITUNGEN ????

also meiner meinung nach sind so ein paar Ampere gatestrom denkbar bei parallelschaltung und das ist nicht wenig.Durch Toleranzen in der gatekapazität ist dann vieleicht einer schon geladen und muß volle leistung schalten wärend ein anderer noch hochfährt.

natürlich sprechen wir hier von nanosekunden aber die reichen um das ding zu verheizen.

bin natürlich auch nicht so der profi aber das mit widerständen in den gateleitungen hab ich schon mehrfach gesehen
http://www.semikron.com/internet/web...lp/d/3_7_1.pdf
hier kannst du das nachlesen

kleiner auszug:
Der Transistor mit der niedrigeren Sättigungscharakteristik führt zunächst den größeren Teil des
Gesamtstromes und wird dadurch mit höheren Durchlaß- und Schaltverlusten beansprucht, wodurch
die Sperrschichttemperatur schneller ansteigt.