Hi Mobius,
jaja das alte Gerücht hält sich hartnäckig. Wie ich geschrieben habe: man kann sie leistungslos im leitenden Zustand halten. Das Schalten hingegen erfordert ganz ordentlich Leistung, und zwar zum Umladen der Kapazitäten. Wie Du schon schreibst: Gate und Substrat sind durch einen Isolator aus SiO2 getrennt, das Zeug hat ein Epsilon-r von knapp 4, ist also ein toller Kondensator. So hat ein MOSFET dann auch Gesamt-Gatekapazitäten im nF-Bereich, je nach Grösse auch 5nF und mehr. Nehmen wir mal einen kleinen her, IRLZ34. Der braucht 17nC Gate-Ladung. Der Strom sei mal 20mA, direkt aus dem Port-Pin des PIC. Die Zeit ist nach t=Q/I also 0,85us - das ist nicht wenig! Bei einer 100kHz-PWM, also 10us Periodendauer, ist der MOSFET 17% der Zeit mit Ein- und Ausschalten beschäftigt anstatt zu leiten. Das Hauptproblem hierbei: während des Schaltvorgangs geht die aufgenommene Leistung zu einem grossen Teil in den MOSFET und produziert dort Wärme. In meinem Paraonia-PWM-Controller steuere ich zB. die MOSFETs für eine 40kHz-PWM mit einem 2A-Treiber an.