MOSFETs und Ströme? Bist du sicher? Waren es nicht eher Spannungen? Ich glaube mich erinnern zu können, dass man gerade deswegen MosFETs nimmt, weil man sie Leistungslos ansteuern kann (Gate ist durch Isolator vom Kanal getrennt).

Dadurch das die Siliziumdioxid-Schicht isolierend zwischen Aluminium und Substrat wirkt, fließt kein Gatestrom IG. Zur Steuerung wird nur eine Gatespannung UGS benötigt. Die Steuerung des Stromes ID durch den MOS-FET erfolgt leistungslos.
http://www.elektronik-kompendium.de/...au/0510161.htm

Aber shaun hat recht, du wirst, wenn du MosFETs effektiv ansteuern möchtest, wirst du einen Spannungswandler brauchen. Am Besten schaust du dir einige Schaltungen (H-Brücken) mit MosFETs an und schaust, wie andere das gelöst haben.
Naja, bipolare Transistoren, sie kosten (relativ) wenig, aber halt, eine Kühlung ist unumlässig, wenn du mehr als 3A durch einen TIP13X schickst (sind bis 7A ausgelegt).
MfG
Mobius