NUR N-Kanal! Wenn Du mal bei irf.com guckst, wirst Du sehen, dass P-MOSFETs für 20/30V alle um den Faktor 10 schlechteren Rds_on haben als N-Kanal-Typen. Ausnahmen sind nur der 7424,7425 und einer der Siliconix-Nachbauten. Und alle davon liegen strommmäßig an der Grenze zu 10A, also no go! Der N-Kanal, den Du vorgeschlagen hast, hat unter schlechten Steuerbedingungen 9 Milliohm, sind bei 10A 90mV, also 2% Deiner Akkuspannung pro MOSFET. Dabei werden 0.9W am MOSFET verheizt, das ist gerade noch im Rahmen für kühlkörperlosen Betrieb, aber bei Montage auf engem Raum würde ich die Dinger auf eine kleine Metallplatte setzen, zB die Montageplatte des Reglers. Ein durchschnittlicher P-Kanal, der den Strom auch verträgt, hat unter Idealbedingungen 60 Milliohm, macht 0.6V bei 10A, 6W, für die Du einen dicken Kühlkörper brauchst und ein Achtel Deiner Akkuspannung ist auch futsch. Dazu kommen noch die Schaltverluste im PWM-Betrieb. Wenn Du zB zweimal den IR2183S nimmst (SO-8 Gehäuse, gibt's bei Reichelt) musst Du nur irgendwo 10V hernehmen, da das Ding erst bei 8.5V loslegt. Also ein kleiner Step-Up-Wandler, zB MAX608 oder MAX1771, Ausgang auf 10V legen und gut is. Über einen 78L05 holst Du Dir wie gesagt saubere 5V für den ATmega aus den 10V. So könnte man eine zuverlässige Schaltung dimensionieren, mit diskreten Levelshiftern aus Transistoren, geschickter Dimensionierung (die v.a. aus Herumprobieren mit Kondensatoren zum Beschleunigen der Schaltvorgänge bestehen dürfte) geht es vielleich auch ohne Treiber und Spannungswandler, nur so eine Schaltung ist a) schwer zu dimensionieren b) lohnt nur in der Masse, wo es auf ein paar Cent wirklich ankommt c) schwer stabil zu kriegen, raucht also vielleicht nur unter unerwarteten Lastbedingungen ab.