1. Richtig, aber Du kannst den Strom nicht begrenzen, ohne dass er über dem begrenzenden Element einen Spannungsabfall und damit Verlustleistung verursacht. Mit der Erkenntnis "Strom wird begrenzt", die der Transistor, der über dem Shunt "fühlt" liefert, kannst Du natürlich auch über ein RC-Glied ein Flipflop o.ä. steuern, das nach kurzer Begrenzungszeit ganz abschaltet.

2. Der Widerstand - naja, so klein, dass der MOSFET noch schnell genug einschaltet und so gross, dass im Begrenzungsfall nicht zu viel Strom fliesst. Angenommen, Du hast einen N-Kanal in einer 12V-Leitung, dahinter einen 0,33 Ohm Widerstand und einen NPN-Transistor mit Basisvorwiderstand. Der Kollektor vom NPN hängt am Gate und zieht selbiges "runter", wenn der Strom irgendwo zwischen 1,6..2A liegt. Im schllimmsten Fall ist ausgangsseitig ein Kurzschluss, dann liegt das Gate auf fast Masse, aber von Deiner Steuerschaltung kommt immer noch die volle Gatespannung von sagen wir mal 24V (muss ja zum voll Durchschalten Ugs_th höher als die gewünschte Ausgangsspannung, beim vollständigen Schalten also die Eingangsspannung, sein). Es werden also 24V am Widerstand abfallen, wobei das Gate im Moment des Begrenzens auch die vollen 24V gegen Source zu sehen bekommen kann, also noch eine Z-Diode zwischen Gate und Source, so 15V sind üblich. Wenn Du nun sagen wir mal 5mA nicht überschreiten willst, brauchst Du bei den besagten 24V 4800 Ohm, also 4,7k. Die sorgen beim Einschalten aber dafür, dass der MOSFET langsam im Vergleich zur Ansteuerung mit dicken Treibern schaltet, für PWM ungeeignet, zum Ein- und Ausschalten von Verbrauchern oder Schaltungsteilen eher vorteilhaft, weil der Einschaltstrom so schon etwas abgemildert wird.

3. Zum Thema heiss werden: volle Betriebsspannung mal Strombegrenzung muss er verheizen können, wenn nicht: ganz sicher dafür sorgen, dass der Überstrom nur ganz kurz fliesst (RC-Glied und FF oder Thyristor), dann sorgt die thermische Trägheit für kalte Verhältnisse.

4. P-Kanal FET lässt sich ohne Hilfsspannung steuern, allerdings muss der Strombegrenzungskram dann vor den FET und mit einem PNP aufgebaut werden. Ist sogar vorteilhaft, da die Signalisierung durch den leitenden Transistor dann mit Ub und nicht der ungewissen Spannung am Ausgang erfolgt!!!!