Der Autor von der H-Brücke im RN-Wissensbereich (siehe Bild) hatt aber auch keine Probleme auf diese zu Verzichten.

https://www.roboternetz.de/wissen/in...eckemosfet.gif

...Prinzipiell sind Source- und Drainanschluss zunächst gleichwertig, meist ist der Aufbau aber nicht symmetrisch, um ein besseres Verhalten zu erzielen. Ausserdem wird bei den meisten Bauformen Bulk intern mit Source verbunden, da ein Potentialunterschied zwischen Source und Bulk die Eigenschaften des Transistors (vor allem die Schwellenspannung) negativ beeinflusst (body effect). Auf die grundlegende Funktion hat die Verbindung keinen Einfluss. Allerdings entsteht nun zusätzlich eine Diode zwischen Source- und Drainanschluss, die parallel zum eigentlichen Transistor liegt (Bulk mit dem p-dotierten Substrat und Drain mit dem n-Gebiet bilden den pn-Übergang). Diese Diode ist als Pfeil im Schaltsymbol des Mosfets dargestellt und zeigt beim n-Kanal Mosfet vom Bulkanschluss zum Kanal. In einer Schaltung muss diese Diode immer in Sperrrichtung gepolt sein, da anderenfalls Drain- und Sourceanschluss über die Diode dauerhaft leitend verbunden bleiben....
(Wikipedia)

Dass ein MOSFET eine Diode besitzt dürfte damit geklärt sein. Nur: hält diese den Belastungen stand. Mein Mosfet hält 30A stand und der Motor zieht max 1A (-> kleiner Motor). Da dürften etz net die mörderischen Ströme entstehen. Bis etz hat es jedenfalls noch keinen zerlegt. Ich frag mich hatl, ob des auf Dauer auch so ist, weil ich hab keine Lust die häufiger zu wechseln.
Wäre jedenfalls praktisch, wenn mich jemand bestätigen könnte. Hab nämlich so gar keinen Platz für Freilaufdioden. Bin schon froh, dass der Rest alles einigermaßen drauf geht.

@BlackDevil: Anitparallel zur Induktivität? Alle H-Brücken die ich kenne haben die Freilaufdioden immer Antiparallel zu den Transistoren. Seltsam. Vielleicht meinen wir ja dasselbe.

Hoffe auf weitere Antworten, Stefan