Stimmt, am besten man geht so vor:
Man sieht nach, welches die preiswertesten Transistoren sind, die die speziellen Anfordeungen für Strom und Spannung erfüllen.

Bei den FETs wird mit einer Spannungsanteuerung dabei der volle Drainstrom erreicht. Bei Bipolartransistoren muß immer noch die Stromverstärkung mitberücksichtigt werden.

Die Widerstände müssen klein genug sein, die Gatekapazitäten schnell genug umzuladen und nicht zu klein, um nicht unnötig Strom zu verbrauchen.

Spezielle Werte kann man dann nach Angabe der Anforderungen einsetzen. Oder man nimmt preiswerte Transistoren an sich und sieht dann welcher Bereich sich damit abdecken läßt.
Manfred