Wenn der Last 75 Ohm und die Amplitude des Videosignals 1Vpp ist, dann muss der Transistor auf der Last (Rc=75 Ohm) ohne Signal ca. 0,75 V haben. Weil Rc=Re (Verstärkung=1), auf dem Re wird auch 0,75V abfallen. Das ergibt die Kollektor-Emiter Spannung 12-2x0.75=10,5V bei 0,75V/75 Ohm=10 mA Kollektorstrom. Somit wird in dem Transistor 10,5Vx10mA= 105 mW in die Wärme umgewandelt, was er noch wahrscheinlich ohne Kühlkörper erträgt. (muss man im Datenblatt schauen).

Den Rc wäre am besten experimentiel zu finden, weil für Berechnung, braucht man den genauer Wert für Stromverstärkung (ß=Hfe) beim Kollektorstrom 10 mA. Zur Schätzung kann man z.B. ß=100 nehmen. Dann ist Ub=Ue+0,6 V= 0,75+0,6 V=1,35V, Uc=12-0,75=11,25 V und Ib=Ic/ß=10mA/100=0,1 mA. Daraus ergibt sich Rb=Uc-Ub/Ib=99 kOhm. Man kann 100 kOhm nehmen, die Kollektorspannung messen und eventuell korriegieren.

Die niedrigste Frequenz des Videosignals ist 50 Hz (Vertikalsynchro). Der Eingangswiderstand des Transistors ist Ri=ßxRe=100x75 Ohm=7,5 kOhm. Für Hochpassfilter gilt F=1/2pixRxC. Daraus ergibt sich C1=1/2pixFxRi=0,424 uF (nom. 0,47uF) und C2=ßxC1=47 uF.

Jetzt schaue ich mir noch das Datenblatt des Transistors.

Alles passt. Laut Datenblatt wird er ohne Kühlkörper um 20°C wärmer als die Umgebung und der Rb könnte ca. 160k sein (durchsnittliches ß=Hfe=170).

MfG