Jau Sperrspannung der MOSFETS oder der Dioden.

Ich hab mal ne 20A, 10-40V Enstufe für 4-Phasen-Brushless-DC gebaut, der Ballastwiderstand musste ab spätestens 48V zuschalten sonst mussten die MOSFETs dran glauben. Da waren die 100V - Mosfets so grade noch olala ausreichend. Wir sind dann auf 150 bzw. 200V-Typen gegangen und mit Unenn auf 48V und Umax auf 58V also gerade noch Funktionskleinspannung.
Bei PWM und hartem Reversieren unter Last und anderen Schweinereien brauchten die MOSFETS noch Suppressordioden, und auch zusätzliche Schottky-Freilaufdioden trotz eingebauter Diode, da die zu lahm war. Keine Ahnung, ob die heutigen integrierten Dioden soviel besser (schneller) sind.
Wir hatten nachher IRFP150 MOSFET verwendet, mit MBR20100 parallel. Gatewiderstand 27 Ohm zum Ein- und Ausschalten, bei 12V Treiberspannung. Über den Gates, die mit 12V gespeist wurden, war je eine 15V Suppresordiode.

(Später hab ich dann die alternative Schaltung mit einer zusätzlichen 10nF Kapazität parallel zum Gate gesehen, das ist natürlich billiger. Dito Z-Diode und hochohmiger Widerstand zwischen Drain und Gate (öffnet den Mosfet, bevor er durchbricht..also wie eine Z-Diode) als Alternative zur Suppresordiode.
Bei diesen Strömen spielt das Layout der Powerbahnen eine entscheidende Rolle. Du kannst schnell heftige Feldstärken erzeugen und induktiiv in die Treiberbahnen einkoppeln..besonders wenn der Motor steht und hohe Spirztenströne auftreten....und was machen induzierte Stöme? sie suchen sich einen Weg..

Viel Erfolg morgen..und übermorgen..und überüber..

sigo