Jeder P-N Übergang eines Silizium Hableiters benötigt ca. 0,7V um die Sperrschicht "abzubauen".

Diese 0,7V fehlen also nach dem 1. Hableiter (Diode).
Nun kommt eben noch eine Diode (also noch ein P-N Übergang)
also nochmals 0,7V Schwellwertspannung.

Somit fehlen etwa 1,4V nach den beiden Dioden.

Bei Germanium wäre diese Schwellspannung bei etwa 0,3V.


Nachzulesen in diversen Büchern Grundlagen Halbleitertechnik,
Formelsammlungen (Nührmann) ect. pp.

P-N Übergang Quiet Simple (primitiv Einfach erklärt):

Halbleitermateriel wie Silizium ist in seiner reinsten Form (99,999%) eigentlich ein Nichtleiter. Durch verunreinigen (dotieren) mit Femdmatzerial unterschiedlicher ... (dingsbums) (z.B. Bor und anderen Materialien [ist schon zu lange her]) erhält man auf der einen Seite einen Elektronen Überschuss (N) un daf der andere einen Elektonenmangel (P) oder auch "löcher"

Damit ein Strom fließen kann müssen diese beiden Zonen erst mal "zusammenwachsen" dh. die Zonen mit elektonen mangel (löcher) mit externen Elektronen füllen und duch ständige Zufuhr diesen Zustand erhalten. Das sind dann diese 0,7V.

Schaltet man die externe Versorgung wieder ab, stellt sich so nach und nach der ursprüngliche Zustand wieder her (nicht/kaum messbar).
(Man veränder ja ach nicht die Chemische Zusammenstzung, sondern sozusagen die Ionisierung des Materials).


Ich hoffe dass jetzt wieder einer Kommt und es besser weis

Aber dies soll ja auch kein Unterricht in praktischer Fachkunde oder Physik werden. (Geschweige denn in Rechtscheibung).