FET simulation mit Pspice

[xkris]

Hallo,

ich habe folgende Schaltung (siehe Anhang). Der FET ist ein P-Kanal, selbstsperrend. Das heisst doch, wenn ich am Gate 0V oder eine positve Spannung habe, muesste ich an Drain volle 5V (+Us) messen. Leider werden es nie mehr als 0.6-0.7V , egal welchen P-Kanal MOSFET ich nehme und welche Spannung ich am Gate hab, der MOSFET scheint nie komplett zu sperren. Mit N-Kanal ist alles kein Problem, die funktionieren in der Simulation so wie ich es erwarte. Mache ich jetzt einen Denkfehler oder ist die Simulation fuer den Ars..?

gruss
kristian

[PICture]

Hallo xkris!

Wenn ich über FET's und MOSFET's gelernt habe, hat es (zum Glück) noch keine Simulationen gegeben. Deswegen kann ich nur das este Teil Deiner Frage beantworten: nein, Du machst keinen Denkfehler.

MfG :)

[steg14]

vertausch mal Drain und Source

[xkris]

vertausch mal Drain und Source

ja, du hast recht. Bei P-channel mosfet muss der source anschluss vom potential höher liegen als drain, hab ich grad gelernt :-) man lernt doch nie aus... :-)

auf jeden fall vielen dank für die hilfe