Ich glaube nicht das die Basisschaltung für diesen Zweck geeignet ist. Sie wird für Hochfrequenzschaltungen verwendet. Der Eingangswiderstand ist sehr klein, wärend der Ausgangswiderstand sehr groß ist.
Es wird hier also genau das Gegenteil des gewünschten, nämlich die schnelle Umladung des MOSFET-Gate erreicht.