Danke erstmal für all Eure Antworten,

Ich glaub ich hab den Sinn jetzt verstanden.
Ich dachte dass die Bodydiode gut genug ist und den Mosfet schon ausreichend schützt.
Mit der externen Diode wird quasi die "schlechte" Bodydiode überbrückt.
Theoretisch bräuchte ich also eine sehr schnelle Diode mit möglichst wenig Spannungsabfall.
Entscheidend ist aber die Schnelligkeit, damit sie die induktiven Rückspannungen killt.

Das wären dann sogenannte Fast oder Ultra Fast Recovery Dioden die man dafür verwendet ?
Geht es dabei um die "reverse recovery time"

Mein Mosfet hat laut Datenblatt trr = 480ns
Die Diode trr = 75 ns