Silizium war das erfolgreichste Material des 20. Jahrhunderts. Die meisten High-Tech-Firmen beschftigen sich damit und sogar ein Tal an der Westkste der USA wurde danach benannt. Doch Silizium geht bezglich der Anforderungen der Zukunft langsam die Puste aus: Sowohl bei der Leistung als auch bei der Stromaufnahme scheinen (physikalische) Grenzen erreicht zu sein. Die Frage ist, ob Materialien wie InGaAs das Potential haben, Silizium technologisch und konomisch abzulsen.

Laut dem Mitarbeiter des Penn State Materials Research Institute, Arun Thathachary, hat Indium-Gallium-Arsenid eine sehr viel hhere Elektronenbeweglichkeit als Silizium. Samsung untersttzt die Untersuchungen ber den mglichen Einsatz dieses Ersatzmaterials. In einem Artikel in der Fachzeitschrift Nano Letters beschreibt Thathachary, dass selbst bei einer Strukturgre von nur 5 nm noch eine zweifache bis dreifache Elektronenbeweglichkeit mglich ist, was groe Auswirkungen auf die damit aufgebauten Transistoren hat.

Bild: Elektronen-Mikroskopie eines Multigate-FETs, Arun Thathachary, Penn State



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News Quelle: Elektor
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