Forscher des amerikanischen AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) konnten die Funktion eines Tunnel-FETs mit einer neuen Architektur demonstrieren. *Ein Tunnel-FET ist ein Feldeffekt-Transistor, der anders als konventionelle MOSFETs auf dem Tunneln von Elektronen basiert. Aus diesem Grund kann der neue FET-Typ mit geringeren Gate-Spannungen geschaltet werden. Dies wiederum hat eine geringere Stromaufnahme damit ausgestatteter elektronischer Geräte zur...

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News Quelle: Elektor
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